属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 5Ω 500mA，10V
功率(Pd) 830mW
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V 250μA
类型 N沟道
查看类似商品 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：50pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
