制造商： Infineon Technologies
类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）；150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，75A
功率 - 最大值：938 W
开关能量：6.7mJ（开），4.1mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：370 nC
25°C 时 Td（开/关）值：37ns/328ns
测试条件：600V，75A，6 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
器件封装：PG-TO247-3-46
