制造商 STMicroelectronics
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 65.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3525 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 58W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
