制造商 Infineon Technologies
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 2.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 270 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6800 pF @ 100 V
功率耗散（最大值） 417W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
器件封装 PG-TO247-3-21
封装/外壳 TO-247-3
