制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 4.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 480 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 700mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
