制造商 onsemi
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 12.5 A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） 3.6V @ 15V，5A
功率 - 最大值 69 W
开关能量 247μJ（开），94μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 6.7 nC
25°C 时 Td（开/关）值 4.8ns/24.8ns
测试条件 600V，5A，30 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
器件封装 TO-252AA
