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IPD200N15N3 G

发布时间2022-8-12 16:43:00关键词:IPD200N15N3 G
摘要

IPD200N15N3 G

製造商: Infineon

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 150 V

Id - C連續漏極電流: 50 A

Rds On - 漏-源電阻: 16 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V

Qg - 閘極充電: 31 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 150 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 6 ns

互導 - 最小值: 29 S

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 11 ns

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 23 ns

標準開啟延遲時間: 14 ns

寬度: 6.22 mm

零件號別名: SP000386665 IPD200N15N3GBTMA1

每件重量: 330 mg

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