类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 71A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRL3803
