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FDD5614P

发布时间2022-8-23 9:15:00关键词:FDD5614P
摘要

FDD5614P

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

onsemi

系列

PowerTrench?

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

Product Status

停产

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

759 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),42W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

基本产品编号

FDD5614

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