类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
Toshiba Semiconductor and_Storage
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
158 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
431W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
