类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
89 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN70
