L6491D是一款集成电路(I.C.)，主要用于高电流和高压的驱动应用。以下是L6491D的主要功能：
1. 双路驱动：L6491D具有双路驱动功能，可以同时驱动两个功率器件（如MOSFET或IGBT）。这使得它非常适用于半桥或全桥拓扑的驱动应用。
2. 高电流和高压驱动：L6491D能够提供高电流和高压的驱动信号，以满足高功率应用的需求。它能够提供高电流脉冲，从而实现快速开关和关闭功率器件。
3. 低电阻驱动：L6491D的输出引脚具有低电阻特性，能够提供低电平信号进行器件控制。这有助于提高整体系统的效率和响应速度。
4. 内置保护功能：L6491D具有多种内置的保护功能，包括过电压保护、过电流保护和过温保护等。这些保护功能有助于保护驱动器和器件免受电压过高、电流过大和温度过高等异常���况的影响。
5. 误差检测和报告功能：L6491D具有误差检测和报告功能，可以监测电流、电压或其他关键参数，并在异常情况下触发警报或保护措施。
总的来说，L6491D是一款具备双路驱动、高电流和高压驱动能力、低电阻驱动、内置保护功能以及误差检测和报告功能的驱动器。它适用于高功率应用，如电机驱动、电源开关、逆变器和电力转换等领域。
类别
集成电路（IC）
电源管理（PMIC）
栅极驱动器
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
DigiKey 可编程
未验证
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
1.45V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
4A，4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
600 V
上升/下降时间（典型值）
15ns，15ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
14-SO
基本产品编号
L6491
